半導體工業(yè)新材料、新工藝、新產(chǎn)品的影響
發(fā)布于：02-11
現(xiàn)在，半導體工業(yè)正處在一個新的轉(zhuǎn)折點：摻雜雜質(zhì)的分布輪廓正在向納米水平靠近，其分布會嚴重影響器件性能。這就要求我們能夠?qū)㈦s質(zhì)擴散和活化程度控制在前所未有的水平上，包括提高活化程度和減小熱預算等要求。???
“柵極堆棧結(jié)構(gòu)、襯底材料和接合形成方法都會出現(xiàn)新的變化?！盇pplied?Materials前段產(chǎn)品部副總裁兼總經(jīng)理Randhir?Thakur說，“以上各領域都會出現(xiàn)新材料、新工藝、新產(chǎn)品開發(fā)或者新結(jié)構(gòu)。如果應變硅、提升源極和SiON的工藝整合能夠繼續(xù)推動每年17%的性能增長速度，我們就會延遲對高k材料的需求。實際上，時間是關鍵因素。芯片制造商沒有時間去研究這些新材料和新功能，并將他們引進到半導體工藝中，通過學習曲線進行適當?shù)恼?，然后生產(chǎn)出新的芯片，最后投向市場?！盇xcelis?Tech"text-indent:2em;">
現(xiàn)在已經(jīng)出現(xiàn)了一些新材料的變化，例如高k電介質(zhì)和金屬柵極?？雌饋硭鼈儗⑼瑫r被采用，甚至有人認為沒有兩者互相配合就不可能根本解決問題。“問題是這一技術尚未完善，還不能正常ぷ鰲！盌ip說，“高k電介質(zhì)在硅表面的電學響應非常復雜，而且電介質(zhì)變薄會降低MOSFET通道遷移率。因此，使電介質(zhì)繼續(xù)變薄或采用高k電介質(zhì)可能都是行不通的。如果你想消除漏電流，你就必須提高功耗，將驅(qū)動電流提高到合適的水平。但是高k電介質(zhì)的很多優(yōu)點就發(fā)揮不出來了?！备遦電介質(zhì)仍然是遙遠的夢想。高k電介質(zhì)成為未來技術的可能性越來越小。一些領先的IDM公司準備采用新穎的應變層技術?，F(xiàn)在，他們生產(chǎn)的所有晶體管都采用氮化氧化硅作為柵極電介質(zhì)，他們準備通過應變層技術--而不是高k電介質(zhì)--進一步改善其性能。??
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